مهندس 360 | وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر
Abstract
Reducing the recombination rate and increasing the photo-generation rate play a very significant role in improving the performance of the solar cells. In this research, AlGaAs has been used instead of GaAs in emitter layer with reduction in thicknesses of the base in order to decrease the recombination rate and increase the efficiency of the proposed solar cell. In addition, tunnel junction, buffer junction and BSF layers have been optimized to achieve higher efficiency. The efficiency can be improved by selecting optimal thickness of the materials because of the increase in photo-generation rate and absorption rate, improving transparency of the tunnel area and reducing the recombination rates of the solar cells. The results showed that after optimization, JSC (short circuit current density), VOC (open circuit voltage) and the η (conversion efficiency) of the solar cell are clearly increased. Also, the results of simulation were compared to the other designs in order to compare its performance. In the proposed structure, values of Voc= 2.52 V, Jsc= 29.09 mA/cm2, FF=86.49% and η= 62.04% (1 sun) are obtained under AM1.5G illumination.
چکیده
کاهش نرخ بازترکیب و افزایش نرخ تولید نوری نقش بسیار پر رنگی در بهبود عملکرد سلولهای خورشیدی بر عهده دارند. در این پژوهش، از AlGaAs به جای امیتر GaAs همراه با کاهش ضخامت بیس به منظور کاهش نرخ بازترکیب و افزایش بازده سلول خورشیدی پیشنهادی، استفاده شده است. بعلاوه برای رسیدن به بازده بیشتر لایه‌های BSF، پیوند تونلی و بافر بهینه‌سازی شده‌اند. با انتخاب ضخامت بهینه مواد، می‌توان بازده را بهبود داد که دلیل آن افزایش نرخ فتوجنریشن و جذب، بهبود شفافیت ناحیه تونلی و کاهش نرخ بازترکیب سلول خورشیدی است. نتایج حاصله نشان دادند که پس از بهینه‌سازی، چگالی جریان اتصال کوتاه JSC، ولتاژ مدار باز VOC و بازده تبدیل η سلول خورشیدی به وضوح افزایش می‌یابند. همچنین در پایان، نتایج شبیه‌سازی این طرح با سایر طرح‌ها به‌منظور مقایسه عملکرد آن مقایسه شده است. در ساختار پیشنهادی، مقادیر Voc= 2.52 V، Jsc= 29.09 mA/cm2، FF=86.49% و η=62.04% (1 sun) تحت تابش AM1.5G بدست آمده‌اند.
مشخصات
Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.
چکیده – تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز ، جریان اتصال کوتاه ، حداکثر توان ، ضریب پری و بازده کوانتومی خارجی به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن شناخته شده اند. با تغییرات ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می دهیم. ATLAS SILVACO برای ساخت و شبیه سازی ساختار سلول خورشیدی CIGS با طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. ما دریافتیم که تغییر در ضریب پری به دلیل تغییر شکاف باند در مقایسه با تغییر ولتاژ مدار باز قابل توجه نیست.
مشخصات
روش تحقیق جزو دروس مهم کارشناسی ارشد به حساب می آید. جزوه ارائه شده در این پست، نسخه کاملی از جزوه روش تحقیق دکتر صدیق ضیابری بوده و حاوی مطالب زیر می باشد.
فهرست مطالب
مقدمه
تعریف تحقیق و بررسی مقدمات در این حوزه
تحقیق بنیادی
تحقیق بنیادی محض
تحقیق بنیادی راهبردی
تحقیق کاربردی
تحقیق توسعه ای
شاخص هایی برای تقسیم بندی فعالیت های پژوهشی
خدمات علمی و فنی
پژوهشگری ذاتی یا آموختنی؟
محاسن انجام پژوهش توسط دانشجویان
فرآیند تحقیق
تفاوت مقاله های کنفرانسی با مقاله های ژورنالی
مستند سازی تحقیق
روش های جستجو
چگونگی آماده سازی و ارائه یک پژوهش
ساختار کلی پایان نامه
شیوه نگارش پروپوزال از ابتدا تا تحویل نهایی
مشخصات
درس کنترل مدرن 3 واحدی و جزء دروس مشکل رشته مهندسی برق در مقطع کارشناسی ارشد می باشد و در کنکور یکی از دروس مهم این رشته محسوب می شود. در این پست، نمونه سوالات تستی و تشریحی کنترل مدرن که توسط دکتر سحاب طرح شده اند را در قالب یک فایل 36 صفحه ای PDF برای استفاده شما عزیزان قرار داده ایم.
مشخصات
امروزه یکی از مهمترین ابزار در نشر علم و دانش چاپ مقالات علمی است. در حقیقت از طریق مقالات علمی است که یک پژوهشگر می‌تواند یافته‌هایش را در اختیار دیگران قرار دهد. در واقع یک پژوهشگر علاوه بر پژوهش کردن باید از توانایی نوشتن هم برخوردار باشد. از سوی دیگر، در کشور عزیزمان، کمبود یک کتاب آموزشی در زمینه نگارش مقالات علمی به‌ویژه مقالۀ ISI احساس میشود، در نتیجه تصمیم گرفته شد تا در جهت جبران این کمبود، قدمی، هر چند ناچیز، برداشته شود. بنابراین، هدف کتاب حاضر، کمک به پژوهشگران، دانشجویان و فارغ‌التحصیلانی است که در نگارش مقاله ضعف دارند.
تمرکز کتاب حاضر، بر روی نگارش مقاله‌های ISI است، ضمن آنکه اشاره‌ای مختصر و صرفاً جهت آشنایی به انواع مقالات و مجلات نیز میشود. نحوۀ نگارش هر یک از قسمت‌های مقاله به‌صورت قدم به قدم و با ذکر مثال‌های متعدد دو زبانه (فارسی و انگلیسی) ارائه شده تا چارچوبی کلی برای نگارش مقاله، در اختیار خواننده قرار گیرد چرا که مقالات تخصصی حوزه‌های مختلف علمی می‌توانند از لحاظ ساختاری و محتوایی متفاوت باشند. بعد از نحوۀ نگارش، در مورد اشتباهات رایج در نگارش مقاله، فرآیندهای انتخاب مجله، ارسال مقاله، داوری و نشر به‌طور مفصل بحث شده است تا اینکه خوانندگان محترم به خوبی با این فرآیندها آشنا شده و بدانند بعد از ارسال مقاله برای مجله، چه اتفاقاتی خواهد افتاد و چه کارهایی را باید انجام دهند.
این متن، پیشگفتار کتاب آموزش جامع فرآیند مقاله‌نویسی: از نگارش تا نشر مقاله» نوشتۀ دکتر مهدی نادری بنی میباشد. خواندن این کتاب فوق العاده را به شما پیشنهاد می‌کنیم.
مشخصات
Abstract-New integrated optical devices combining an InGaAsP/InP HPT and an inner-stripe LED are proposed and their fabrication processes are described. The device functions of light amplification, optical bistability, and optical switching are demonstrated in the 1-um wavelength region.
I. INTRODUCTION
MONOLITHIC integration of well-developed discrete devices such as lasers, light-emitting diodes (LED’s), phototransistors, p-i-n diodes, and avalanche photodiodes (APD’s) has been drawing much attention for better performance and higher reliability [ 11, [2]. By integration, on the other hand, new functions which cannot be expected for the discrete optoelectronic devices can be realized utilizing the optical or electrical interactions between two or more optoelectronic devices [3]-[ ll].
خلاصه - افزاراه های مجتمع نوری جدید از ترکیب InCaAsPhP HPT و inner-stripe LED معرفی شده اند و مراحل ساخت آنها نیز بیان شده است. عملکرد افزاره در حالت های تقویت کنندگی نور، دوپایداری نور، و سوییچ نوری در محدوده طول موج 1-pm بررسی شده است.
مقدمه:
مجتمع سازی یکپارچه از افزاره های مجزا و توسعه یافته مانند لیزرها، دیودهای نوری (LED)، فوتوترانزیستورها، دیودهای p-i-n، و دیودهای نوری بهمنی (APD) توجه زیادی را به خود برای عملکرد بهتر و اعتبار بالا جلب کرده اند[1],[2]. از سویی دیگر مجتمع سازی، کاربردهای جدیدی که از افزاره های مجزا انتظار نمیرفت را با بکار گیری فعل و انفعالات الکتریکی و نوری بین دو یا چند افزاره، محقق ساخته است[3]-[11].
تعداد صفحات: 12
مشخصات
به تازگی انرژیهای تجدیدپذیر به دلیل مزیتهای غالب خود در مقایسه با انرژیهای فسیلی، توجه زیادی را به خود جلب کرده‌اند. مصرف برق جهان بین 12 تا 13 ترا وات در سال است و با رشد جمعیت افزایش می‌یابد. منابع اصلی برای مصرف انرژی سوختهای فسیلی هستند که با توجه به انتشار بیش از حد گازهای گلخانه ای، استفاده از آنها به زیان محیط زیست میباشد. یک جایگزین مناسب برای مصرف سوختهای فسیلی استفاده از فتوولتاییک (PV) یا سلولهای خورشیدی است. انـرژی خورشیـدی که در یک سـاعت به اتمسفـر می‌رسد برای تأمیـن تقاضای انرژی یک سال جهان کافی است. بزرگترین عامل بازدارنده برای استفاده از سلولهای خورشیدی قیمت اولیه آن است. اما در دراز مدت پول سرمایه‌گذاری شده می‌تواند به دلیل دوام سلولهای خورشیدی بازگردد.
ساخت یک سلول خورشیدی و آزمایش آن، بسیار گران و زمان بر است. به ویژه اینکه این روند ممکن است تا زمان ساخت یک سلول خورشیدی که به نتایج مطلوب برسد چندین بار تکرار شود. کمپانی Silicon Valley (Silvaco)، ATLAS را نرم افزاری برای طراحی ساخته که به طور مؤثری رفتار افزاره های نیمه هادی را شبیه سازی می کند.
در این پست، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر که از سری مقالات ژورنال Superlattices and Microstructures با عنوان An ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with hetero tunnel junction می باشد، ارائه شده است. همراه با این مجموعه، یک فایل راهنمای ساده در پوشه text جهت اجرای کدها ارائه شده است. همچنین برای مقایسه نمودار ها و جداول، فایلهای عکسی جهت انجام اینکار در پوشه images پیوست شده اند که مقادیر و نمودارهای مندرج در مقاله را با مقادیر و نمودارهای شبیه سازی شده قابل مقایسه می کنند.
جهت مشاهده پیش نمایشی از نمودارهای ارائه شده می توانید به این لینک مراجعه نمایید.
مشخصات
An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.
فایل ترجمه در قالب ورد و شامل صفحه می باشد.
مشخصات
در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب پی دی اف نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، یک فایل آموزش ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند.
در این پژوهش، ولتاژ مدار باز بسیار بالایی در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر GaInP/GaAs با استفاده از نیمه هادی AlGaInP به جای GaAs بدست آمده است. زیرا این ماده شکاف باند بزرگتری نسبت به GaAs دارد. ساختار بهینه شده دارای تراکم ناخالصی 2e19 و 2e17 برای نیمه هادی های نوع p و n بوده و ضخامت نواحی p و n آن به ترتیب 0.5 و 3.0 میکرومتر می باشد. در این مقاله، سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند.
در این مدل پارامترهای نرخ تولید نوری و میدان الکتریکی نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. مقادیر FF، JSC ،VOC و EFF در مقاله برابر 3.347، 1.759، 90.09 و 53.51 و در فایل شبیه سازی شده برابر 3.39، 1.79، 91.03 و 53.06 بدست آمده اند که مقادیری بسیار مشابه مقادیر بدست آمده در مقاله می باشند. همچنین جهت مشاهده نمودارهای بدست آمده توسط این شبیه سازی می توانید از این لینک دیدن نمایید.
مشخصات
لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این پژوهش بکار بردن دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده و مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده است و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.
آنچه خواندید بخشی از چکیده مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer بود. مقادیر بدست آمده در شبیه سازی ها توسط سیلواکو بسیار نزدیک به مقادیر بدست آمده در مقاله هستند. همچنین تمامی نمودارها در اینجا قابل مشاهده هستند.
مشخصات
طی بررسی‌های انجام شده، تا سه دهه آینده به 10 تا 30 تراوات انرژی پاک در سال نیازمندیم. در حال حاضر، مصرف انرژی در جهان تقریباً 12 تا 13 ترا وات در سال است. انرژی خورشیدی که در مدت یک ساعت به سطح زمین می‌رسد می‌تواند تقاضای انرژی جهان را به مدت یک سال تأمین کند. با رشد جمعیت، تقاضای انرژی در حال افزایش است و منابع سوختهای فسیلی کاهش یافته‌اند که این انگیزه بسیار مناسبی برای تحقق و توسعه انرژیهای تجدید پذیر خواهد بود. با وجودیکه سهم انرژیهای تجدید پذیر در برابر انرژیهای فعلی بسیار ناچیز است اما پیش‌بینی میشود که این فناوری نوظهور بطور قابل توجهی انرژی آینده جهان را تولید کند. برای تولید بخش بزرگی از انرژی مورد نیاز جهان، سلولهای خورشیدی نیاز به بهبود بیشتری دارند تا بتوانند جایگزین مناسبی برای انرژیهای فسیلی و هسته‌ای شوند.
در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب ورد و پی دی اف نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، دو فایل آموزشی ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند.
در این پژوهش، ساختار مطلوب سلول خورشیدی دو پیوندی با یک پیوند تونلی InGaP/InGaP، یک لایه بافر در سلول پایینی، دو لایه BSF در سلول بالایی و یک لایه امیتر جدید در ساختار ارائه شده است. سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند.
مشخصات
Abstract - Using the two dimensional device simulator Silvaco Atlas, the photovoltaic characteristics of a double junction InGaP/GaAs solar cell [J.P. Dutta, et al., Optik. Int. J. Light Electron Opt. (2016)], were numerically simulated. In this work, the performance of double junction InGaP/GaAs solar cell is modified by adding a thin Carbon Nano tubes film. It was predicted that by adding a 110 nm thin carbon nano tubes film on the surface of the cell, the efficiency would be modified and would increase from 40.879% to 41.95%. Finally, the performances of the cell before and after the addition of the CNT thin film were compared.
چکیده - با استفاده از شبیه ساز افزاره دو بعدی silvaco atlas، مشخصه های فتوولتاییک یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs شبیه سازی عددی شده است. در این کار، عملکرد سلول خورشیدی InGaP/GaAs دو پیوند با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک اصلاح شده است. پیش بینی شده که با اضافه کردن یک لایه نانو لوله کربنی نازک 110 نانومتری روی سطح سلول، بازده تغییر خواهد کرد و از 40.879% به 41.95% افزایش خواهد یافت. در نهایت، عملکرد سلول قبل و بعد از اضافه کردن لایه نازک CNT مقایسه شد.
تعداد صفحات: 10
فرمت: docx و pdf
مشخصات
An effective and optimised BSF layer is an important layer in both single junction and multijunction solar cells. In this work the use of the double layer BSF for top cell with their varied thicknesses is investigated on GaInP/GaAs DJ solar cell using the computational numerical modelling TCAD tool Silvaco ATLAS. The detail photo-generation rates are determined. The major modelling stages are described and the simulation results are validated with published experimental data in order to describe the accuracy of our results produced. For this optimized cell structure, the maximum Jsc ¼ 17.33 mA/cm2, Voc ¼ 2.66 V, and fill factor (FF) ¼ 88.67% are obtained under AM1.5G illumination, exhibiting a maximum conversion efficiency of 34.52% (1 sun) and 39.15% (1000 suns).
یک لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این کار استفاده از دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده است. مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.
مشخصات
در این پست، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE که اخیراً در سال 2019 به چاپ رسیده ارائه شده است.
در این پژوهش تأثیر دوپینگ ناحیه تونلی ناهمگن در سلولهای خورشیدی تاندم بررسی شده است. پیوند تونلی (InGaP/GaAs) برای سلولهای خورشیدی چند پیوند (InGaP/GaAs) جهت تعیین عملکرد الکتریکی آنها به عنوان تابعی از غلظت دوپینگ تونل مورد مطالعه قرار گرفته است. در این مقاله، طراحی سلول خورشیدی InGaP/GaAs با استفاده از پیوند تونلی ناهمگونی با غلظت آلایش p--InGaP متفاوت گزارش شده و این میزان غلظت در محدوده e19-e20 می باشد. نتایج این تحقیق نشان داده که غلظت آلایش n-InGaP بر راندمان تبدیل، تراکم جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز تأثیر دارد.
پس از انجام شبیه سازی ها، مقادیر
Jsc=1.47026e-010
Voc=2.424
FF=91.4446
Eff=23.8509
بدست آمده اند که نتایجی مشابه آنچه در مقاله درج شده است را نشان می دهند.
مشخصات
در عصر حاضر، استفاده از انرژی های نو علی الخصوص انرژی خورشیدی، به طور چشم گیری افزایش یافته است. از آنجا که انجام آزمایشات لازم در خصوص بهبود و بهینه سازی سلول های خورشیدی بسیار پر هزینه اند، قبل از انجام این آزمایشات از شبیه سازی های کامپیوتری جهت رسیدن به بازده بالاتر استفاده می شود. زیرا این روش بسیار کم هزینه تر بوده و در وقت و انرژی نیز صرفه جویی می شود. نرم افزار سیلواکو یکی از نرم افزارهای بسیار عالی برای شبیه سازی این نوع از ادوات می باشد.
شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود.
در صورتیکه یک نیمه هادی نوع n در کنار نیمه هادی دیگری از نوع p قرار گیرد؛ یک پیوند p-n تشکیل می شود و الکترونهای سمت n به سمت p رفته و حفره‌ها نیز در جهت عکس حرکت الکترونها حرکت می کنند. در این میان، در ناحیه مرزی این دو نیمه هادی، ناحیه تخلیه به وجود می آید. این ناحیه خالی از هر نوع حاملی است. در این حالت در لبه مرز در سمت نیمه هادی نوع n، اتم‌ها الکترونهای خود را از دست داده‌اند و یون‌های مثبت تشکیل شده است. در سمت p نیز با انتقال حفره‌ها، یون‌های منفی به جا مانده‌اند، بنابراین یک میدان الکتریکی بین یون‌های مثبت و منفی بوجود می‌آید. بزرگتر شدن این ناحیه در اثر عوامل مختلف، مانع از انتقال بیشتر حامل‌های جریان میشود.
در این پست شبیه سازی یک مقاله با عنوان Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers که در سال 20 در ژورنال Superlattices and Microstructures که یک ژورنال بسیار معتبر در زمینه ادوات نوری و الکتریکی می باشد ارائه شده است. نتایج شبیه سازی های انجام شده بسیار مشابه آنچه در مقاله ذکر شده اند می باشند و از دقت بسیار بالایی برخوردارند. نتایج بدست آمده به شرح زیر می باشند:
InGaP SJSC
---------------------------
JscmAcm2=20.1579
Voc=1.41568
FF=84.8897
Eff=17.7449
GaAs SJSC
---------------------------
JscmAcm2=34.2686
Voc=1.02644
FF=88.2007
Eff=22.7253
InGaP/GaAs DJSC
---------------------------
JscmAcm2=14.1974
Voc=2.42066
FF=91.5219
Eff=23.0396
TJ=InGaP
---------------------------
JscmAcm2=15.8448
Voc=2.42361
FF=91.1076
Eff=25.6278
TJ=GaAs
---------------------------
JscmAcm2=14.1974
Voc=2.42066
FF=91.5219
Eff=23.0396
TJ=AlGaAs
---------------------------
JscmAcm2=15.4834
Voc=2.42305
FF=91.2129
Eff=25.0664
TJ=---
---------------------------
JscmAcm2=19.2805
Voc=1.17547
FF=74.7739
Eff=12.4133
BSF=AlInGaP
---------------------------
JscmAcm2=20.77
Voc=2.43073
FF=86.5752
Eff=32.0165
مشخصات
در این پژوهش از یک دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 استفاده شده و با کمک یک رویکرد بهینه سازی لایه BSF، یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs توسعه یافته است. نتایج نشان می دهند که دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 انتقال الکترونها و حفره های بیشتری را نشان می دهد و منجر به بازترکیب کمتری بین سلول های بالا و پایین شده و راندمان سلول خورشیدی دو پیوند را افزایش می دهد. برای دستیابی به ولتاژ مدار باز (VOC) بالاتر، از نیمه هادی GaAs برای تطبیق با Al0.52In0.48P با شکاف باند 2.4eV استفاده شده است. این ماده در سلول پایینی به کار گرفته شده و عملکرد هتروجانکشن Al0.52In0.48P–GaAs منجر به افزایش نرخ تولید نوری افزاره در این ناحیه شده است. ساختار پیشنهادی تحت تابش AM1.5G در سیلواکو (Silvaco) شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده به صورت زیر می باشند:
JscmAcm2=31.8491
Voc=2.52557
FF=86.291
Eff=66.39
همچنین در این شبیه سازی نمودارهای شکاف باند، طیف AM1.5G، مش بندی، ساختار، نرخ تولید نوری و نمودارهای جریان - ولتاژ بدست آمده اند.
مشخصات
در این پست جزوه 86 صفحه ای درس طراحی مدارهای فرکانس بالا ارائه شده است و فهرست مطالب مندرج در آن به شرح زیر می باشد:
فهرست:
معادلات ماکسول، معادله موج شامل مج صفحه ای (plane wave) و پلاریزاسیون موج
تحلیل خطوط انتقال (معرفی ولتاژ و جریان به صورت موج)
معرفی چارت اسمیل و کاربردهای آن
شبکه های تک پورتی و چند پورتی - معرفی پارامترهای پراکندگی S
مقدمه ای از طراحی فیلترهای مایکروویو (RF)
مدارهای تطبیق امپدانس مایکرویوی
طراحی تقویت کننده های مایکروویوی با استفاده از پارامترهای S
مشخصات
استفاده از نانو لوله های کربنی (CNT) در سلول های خورشیدی به عنوان یکی از امیدوارکننده ترین زمینه های تحقیق برای بهبود کارایی آن به شمار می رود. اخیراً نشان داده شده که شبکه های ناهمگن CNT ها می توانند به عنوان یک رسانای نیمه شفاف عمل کنند. این خاصیت منحصر به فرد برای استفاده در سلول های خورشیدی منجر به بهبود بازدهی سلول می شود. استفاده از CNT در لایه بالا می تواند به طور فابل توجهی ناحیه تماس ف کانتکت ها را به سطح سلول کاهش دهد و همچنین این مواد دارای هدایت بیشتری نسبت به سایر مواد نیمه هادی هستند. CNT ها دارای خواص ساختاری و الکتریکی فابل توجهی هستند که می توانند در بسیاری از برنامه ها مورد استفاده قرار گیرند.
نتایج بدست آمده در شبیه سازی ها:
with CNT:
------------------
JscmAcm2=31.4136
Voc=1.03865
FF=87.7959
Eff=28.6352
without CNT:
------------------
JscmAcm2=30.2208
Voc=1.03319
FF=87.7061
Eff=27.3751
مشخصات
Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.
این مقاله در 20 صفحه با کیفیت بسیار عالی به فارسی ترجمه شده و در دو قالب word و pdf برای دانلود آماده شده است.
مشخصات
The operation of hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diodes has been evaluated, and an approach for optimizing the back surface field (BSF) layer of a InGaP/GaAs dual-junction (DJ) solar cell developed. The results show that the hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diode transferred more electrons and holes and showed less recombination between the top and bottom cells with increased efficiency (g) in the InGaP/GaAs DJ solar cell. To achieve higher open-circuit voltage (Voc), GaAs semiconductor was investigated to match with Al0.52In0.48P with bandgap of 2.4 eV, and replacement of the bottom cell in the InGaP/GaAs DJ solar cell with such an Al0.52In0.48P–GaAs heterojunction increased the photogeneration in this region. In the next step, addition of a BSF layer to the top cell required two BSF layers in the bottom cell to optimize the short-circuit current (Jsc) and g. The thickness and doping of the BSF layers were increased to obtain the highest g for the cell. The proposed structure was then compared with previous works. The proposed structure yielded Voc = 2.46 V, Jsc = 30 mA/cm2, fill factor (FF) = 88.61%, and n = 65.51% under AM1.5 (1 sun) illumination.
ترجمه این مقاله در 22 صفحه به صورت تایپ شده در دو قالب word و PDF در پوشه فایل دانلود شده موجود است.
مشخصات
- انجمن ادبیات داستانی ایده
- heidar119
- shariandressshop
- partynightdressshop
- marmar78
- فروشگاه اینترنتی زیر زیر قیمت ها
- raouf1398
- .
- بلاگی برای فایل ها
- اَرْغَنوٓنْ
- refreshtip
- marketba
- saeed1991
- داستانها و نکات قرآنی
- mansari
- babagolzade
- دانلود جزوه pdf
- ubook
- پيش به سوي داشتن مدرسه اي بهتر
- چهار سوی علم
- برای مهدی
- radikal
- text021dis2006love
- 058fdffdf69iu
- 0584gfyth9iu
درباره این سایت