ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

این مقاله در 20 صفحه با کیفیت بسیار عالی به فارسی ترجمه شده و در دو قالب word و pdf برای دانلود آماده شده است.

ترجمه مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

جزوه روش تحقیق

نمونه سوالات درس کنترل پیشرفته (مدرن) - دکتر سحاب

آموزش جامع فرآیند مقاله نویسی - از نگارش تا نشر مقاله

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode

شبیه سازی مقاله An ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell with hetero tunnel junction در سیلواکو

nm ,and ,the ,of ,drain ,source ,source drain ,50 nm ,carbon nanotube ,drain metal ,nm apart ,with source drain ,drain metal contacts ,source drain metal

مشخصات

آخرین مطالب این وبلاگ

آخرین ارسال ها

آخرین جستجو ها

حسام حداد mehdi3amozesh pikasonihonar adnan100 نقاشی پشت شیشه negintikcavir nahal هزاران مطلب پیرامون طب سنتی و مسایل مرتبط posstac فروشگاه اینترنتی قاصدک طلایی