شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers

شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل­ های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود. 

در صورتیکه یک نیمه هادی نوع  n در کنار نیمه هادی دیگری از نوع p قرار گیرد؛ یک پیوند p-n تشکیل می شود و الکترونهای سمت n  به سمت p رفته و حفره‌ها نیز در جهت عکس حرکت الکترون‌ها حرکت می کنند. در این میان، در ناحیه مرزی این دو نیمه هادی، ناحیه تخلیه به وجود می آید. این ناحیه خالی از هر نوع حاملی است. در این حالت در لبه مرز در سمت نیمه هادی نوع n، اتم‌ها الکترون‌های خود را از دست داده‌اند و یون‌های مثبت تشکیل شده است. در سمت p نیز با انتقال حفره‌ها، یون‌های منفی به جا مانده‌اند، بنابراین یک میدان الکتریکی بین یون‌های مثبت و منفی بوجود می‌آید. بزرگتر شدن این ناحیه در اثر عوامل مختلف، مانع از انتقال بیشتر حامل‌های جریان می‌شود. 

---------------------------

JscmAcm2=20.1579 

Voc=1.41568 

FF=84.8897 

Eff=17.7449 

---------------------------

JscmAcm2=34.2686 

Voc=1.02644 

FF=88.2007 

Eff=22.7253 

---------------------------

JscmAcm2=14.1974 

Voc=2.42066 

FF=91.5219 

Eff=23.0396 

---------------------------

JscmAcm2=15.8448 

Voc=2.42361 

FF=91.1076 

Eff=25.6278 

---------------------------

JscmAcm2=14.1974 

Voc=2.42066 

FF=91.5219 

Eff=23.0396 

---------------------------

JscmAcm2=15.4834 

Voc=2.42305 

FF=91.2129 

Eff=25.0664 

---------------------------

JscmAcm2=19.2805 

Voc=1.17547 

FF=74.7739 

Eff=12.4133 

---------------------------

JscmAcm2=20.77 

Voc=2.43073 

FF=86.5752 

Eff=32.0165